بررسی تئوری و عددی نانو لوله های کربنی به عنوان یک کانال در ترانزیستورهای اثر میدان

پس از کشف نانولوله¬های کربنی توسط ایجیما و همکارانش بررسی¬های بسیار زیادی بر روی این ساختارها در سایر علوم انجام شده است. این ساختارها به دلیل خواص منحصر به فرد مکانیکی و الکتریکی که از خود نشان داده¬اند جایگزین مناسبی برای سیلیکون و ترکیبات آن در قطعات الکترونیکی خواهند شد. در اینجا به بررسی خواص الکتریکی نانولوله¬های کربنی زیگزاگ که به عنوان یک کانال بین چشمه و دررو قرار داده شده، پرداخته ایم و نحوه¬ی توزیع جریان در ترانزیستور¬های اثر میدانی را در شرایط دمایی و میدان¬های مختلف بررسی کرده ایم. از آنجایی که سرعت خاموش و روشن شدن ترانزیستور برای ما در قطعات الکترونیکی و پردازنده¬های کامپیوتری از اهمیت ویژه¬ای برخوردار است، انتخاب نانولوله¬ای که تحرک پذیری بالایی داشته باشد بسیار مهم است. نتایج بررسی¬ها نشان می¬دهد تحرک پذیری الکترون در نانولوله¬¬های کربنیِ متفاوت به ازای میدان¬های مختلفی که در طول نانولوله¬ها اعمال شود، مقدار بیشینه¬ای را خواهد گرفت. بنابراین در طراحی ترانزیستورها با توجه به مشخصه¬های هندسی ترانزیستور و اختلاف پتانسیلی که بین چشمه و درروِ آن اعمال می¬شود باید نانولوله¬ای را انتخاب کرد که تحرک پذیری مناسبی داشته باشد.